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背照式 sCMOS 科研相机
适用于： 单分子成像 超分辨显微 单原子观测 光致发光 弱光检测
PXM-VS2560 sCMOS相机
· 2560x2048@240fps
· 5.5µm像元背照式sCMOS
· 0.29e-亚电子级读出噪声
· 55℃制冷温差真空温差 · 0.002e-/s/pixel@-30℃暗电流
PXM-VS600 sCMOS相机
· 800x600@120fps
·18µm像元背照式sCMOS
· 0.45e-亚电子级读出噪声
· 零下40℃制冷，60℃制冷温差
· 0.007e-/s/pixel@-30℃暗电流
PXM-VS2048 sCMOS相机
· 2048x2048@100fps，6.5µm像元
· 内置多级TEC支持深度制冷
· 焊接真空密封工艺持久有效
· 低噪声电路设计
· 低至1.1个电子读出噪声
· 可见光量子效率＞95%，紫外量子效率＞50%
为什么选择背照式 sCMOS 相机？
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背照式 BSI 结构提升光线利用率
背照式结构将电路层放到了光电二极管后面，光线可以直接照到光电二极管上，减少了入射光遮挡，光线直接入射到光电二极管，提高光子利用率与量子效率。
1. 背照式结构优势
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左图为PXM-VS2048的量子效率图
背照式 sCMOS 在可见光波段具有更高量子效率，可有效提高微弱光信号采集能力。
在单分子荧光、超分辨显微、单原子观测等低光子数应用中，高 QE 能显著提升成像质量与检测灵敏度。
2. 高量子效率提升弱光探测能力
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超低读出噪声实现高信噪比成像
PXM-VS600读出噪声低至0. 45个电子;
PXM-VS2048读出噪声低至1.1个电子;
PXM-VS8560读出噪声低至0. 29个电子。
3. 超低读出噪声
4.多级 TEC 深度制冷
多级 TEC 深度制冷降低暗电流噪声
多级TEC 制冷可有效降低暗电流噪声，提高长时间曝光稳定性。 对于长曝光弱光实验、光致发光（PL）以及量子成像等应用，深度制冷能够显著提升信号检测能力。
5.高动态范围与高速采集
背照式 sCMOS 相机兼具高速成像与高动态范围，可同时满足动态过程记录与弱信号检测需求。 适用于高速荧光成像、动态光学实验与实时成像应用。
光致成像
超分辨成像
共聚焦成像
6. 典型科研应用
单原子观测
细胞成像
脑科学
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